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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S8GC V7G
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1623459S8GC V7G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S8GC V7G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S8GC V7G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S8GC V7G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    985mV @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S8GC V7GCT-ND
    S8GCV7GCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    48pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S8GC V7G" -Einziper.
RO 2BV

RO 2BV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
S8GC M6G

S8GC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS25LHRFG

SS25LHRFG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 2A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
IRKE91/16A

IRKE91/16A

Beschreibung: DIODE GP 1.6KV 100A ADD-A-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS18

SS18

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 1A SMA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5618GP-E3/54

1N5618GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S8GCHR7G

S8GCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS1JHE3_A/I

RS1JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
V15P45S-M3/87A

V15P45S-M3/87A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 15A 45V TO-277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S4KW10C-5N

S4KW10C-5N

Beschreibung: DIODE GEN PURP 10KV 12A MODULE

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
SS2P3HE3/84A

SS2P3HE3/84A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VS-65APS12LHM3

VS-65APS12LHM3

Beschreibung: DIODES - TO-247-E3

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S8GC V6G

S8GC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-42HFR100

VS-42HFR100

Beschreibung: DIODE 40A BRAZ SQR DO5

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
MBRF745 C0G

MBRF745 C0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CDLL0.2A40

CDLL0.2A40

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
S8GC R7G

S8GC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S8GCHM6G

S8GCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STTH802G-TR

STTH802G-TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
MBR30150FCTE3/TU

MBR30150FCTE3/TU

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30A 150V ITO220AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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