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SFT12GHA0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SFT12GHA0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SFT12GHA0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1A Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "SFT12GHA0G" -Einziper.
SFT11G R0G

SFT11G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SFT1342-TL-E

SFT1342-TL-E

Beschreibung: MOSFET P-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT1341-C-TL-E

SFT1341-C-TL-E

Beschreibung: MOSFET P-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT1342-E

SFT1342-E

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK/TP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT12G A0G

SFT12G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SFT1202-TL-E

SFT1202-TL-E

Beschreibung: TRANS NPN 150V 2A TP-FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT1202-E

SFT1202-E

Beschreibung: TRANS NPN 150V 2A TP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT11GHA0G

SFT11GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SFT1341-C-TL-W

SFT1341-C-TL-W

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 10A TP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT1341-TL-E

SFT1341-TL-E

Beschreibung: MOSFET P-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT12G R0G

SFT12G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SFT12G A1G

SFT12G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SFT11GHR0G

SFT11GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SFT12GHA1G

SFT12GHA1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SFT11G A1G

SFT11G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SFT1341-W

SFT1341-W

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 10A TP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT1341-TL-W

SFT1341-TL-W

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT1341-E

SFT1341-E

Beschreibung: MOSFET P-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SFT11GHA1G

SFT11GHA1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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SFT12GHR0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

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