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SFT16GHA1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SFT16GHA1G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SFT16GHA1G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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SFT18GHR0G

SFT18GHR0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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SFT18G A0G

SFT18G A0G

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SFT17GHR0G

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SFT15G A1G

SFT15G A1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A TS-1

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SFT16G A1G

SFT16G A1G

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
SFT15G R0G

SFT15G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A TS-1

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SFT18G R0G

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SFT18GHA0G

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SFT17G R0G

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SFT15G A0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A TS-1

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SFT15GHR0G

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