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6998996TPC817MC C9G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

TPC817MC C9G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPC817MC C9G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Ausgabe (max)
    80V
  • Spannung - Isolation
    5000Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.2V
  • VCE Sätttigung (max)
    200mV
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    -
  • Supplier Device-Gehäuse
    4-DIP
  • Serie
    TPC817
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    4µs, 3µs
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    4-DIP (0.400", 10.16mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor
  • Andere Namen
    TPC817MC C9G-ND
    TPC817MCC9G
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    200% @ 5mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    400% @ 5mA
  • Strom - Ausgang / Kanal
    50mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA
TPC817S1D RAG

TPC817S1D RAG

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC816S1C RAG

TPC816S1C RAG

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC817S1B RAG

TPC817S1B RAG

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC8208(TE12L,Q,M)

TPC8208(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC817S1C RAG

TPC817S1C RAG

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC8207(TE12L,Q)

TPC8207(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC817A C9G

TPC817A C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC817MD C9G

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Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC817B C9G

TPC817B C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC816S1D RAG

TPC816S1D RAG

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC817MB C9G

TPC817MB C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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TPC8211(TE12L,Q,M)

TPC8211(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC817MA C9G

TPC817MA C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC817S1A RAG

TPC817S1A RAG

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC8207(TE12L)

TPC8207(TE12L)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC816S1A RAG

TPC816S1A RAG

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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TPC817D C9G

TPC817D C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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TPC8208(TE12L,Q)

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Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP

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TPC817C C9G

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Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

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TPC816S1B RAG

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