TSM085N03PQ33 RGG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM085N03PQ33 RGG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM085N03PQ33 RGG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PDFN (3x3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)

37W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerWDFN
Andere Namen

TSM085N03PQ33 RGGCT
TSM085N03PQ33 RGGCT-ND
TSM085N03PQ33RGGCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

817pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 52A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

52A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM085N03PQ33 RGG" -Einziper.

TSM060N03ECP ROG

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM085N03PQ33 RGG

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