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TSM4435BCS RLG-Bild.

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM4435BCS RLG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM4435BCS RLG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM4435BCS RLG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 9.1A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

TSM4435BCS RLGCT
TSM4435BCS RLGCT-ND
TSM4435BCSRLGCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 9.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.1A (Ta)

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Das Folgende sind "TSM4435BCS RLG" -Einziper.

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TSM4800N15CX6 RFG

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TSM480P06CP ROG

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

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TSM4425CS RLG

TSM4425CS RLG

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

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TSM4424CS RVG

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Beschreibung: MOSFET 2 P-CH 30V 7.1A 8SOP

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TSM3N80CZ C0G

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