TSM4NB60CP ROG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM4NB60CP ROG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM4NB60CP ROG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TSM4NB60CP ROGCT
TSM4NB60CP ROGCT-ND
TSM4NB60CPROGCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM4NB60CP ROG" -Einziper.

TSM4N70CH C5G

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM4NB60CP ROG

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