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UG06BHA1G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UG06BHA1G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    UG06BHA1G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 600mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TS-1
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    15ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    T-18, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 600mA Through Hole TS-1
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    600mA
  • Kapazität @ Vr, F
    9pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "UG06BHA1G" -Einziper.
S2JHR5G

S2JHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06B-E3/54

UG06B-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 600MA MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UG06CHR0G

UG06CHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STTH30R04D

STTH30R04D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 30A TO220AC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
UG06CHA1G

UG06CHA1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06AHA1G

UG06AHA1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06DHA0G

UG06DHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06AHR0G

UG06AHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06DHA1G

UG06DHA1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06AHA0G

UG06AHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UF4001 R0G

UF4001 R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06CHA0G

UG06CHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06DHR0G

UG06DHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06BHR0G

UG06BHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
STPS5H100H

STPS5H100H

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 5A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
UG06D-E3/54

UG06D-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UG06BHA0G

UG06BHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG06D/54

UG06D/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 600MA MPG06

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
UG06A-E3/54

UG06A-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 600MA MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UG06C-E3/54

UG06C-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 600MA MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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