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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > TC58NYG0S3HBAI6
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2334808TC58NYG0S3HBAI6-Bild.Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TC58NYG0S3HBAI6
  • Hersteller / Marke
    Kioxia America, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Supplier Device-Gehäuse
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    67-VFBGA
  • Andere Namen
    TC58NYG0S3HBAI6JAH
    TC58NYG0S3HBAI6JDH
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Zugriffszeit
    25ns

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Das Folgende sind "TC58NYG0S3HBAI6" -Einziper.
TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG3S0FTA00

TC58NVG3S0FTA00

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC59

TC59

Beschreibung: CAP ALUM 50UF 250V AXIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
TC594

TC594

Beschreibung: CAP ALUM 200UF 300V AXIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4

Beschreibung: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC593

TC593

Beschreibung: CAP ALUM 150UF 300V AXIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC59000001

TC59000001

Beschreibung: OSC MEMS 59MHZ 3.3V SMD

Hersteller: TXC Corporation
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0FTA00

TC58NVG2S0FTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NYG1S3HBAI6

TC58NYG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC593002ECBTR

TC593002ECBTR

Beschreibung: IC REG LINEAR -3V 80MA SOT23-3

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
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TC595002ECBTR

TC595002ECBTR

Beschreibung: IC REG LINEAR -5V 100MA SOT23-3

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NYG1S3HBAI4

TC58NYG1S3HBAI4

Beschreibung: 2G NAND SLC 24NM BGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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