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1SS190TE85LF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1SS190TE85LF
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1SS190TE85LF.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SC-59-3
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    1SS190(TE85L,F)
    1SS190TE85LFTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    125°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-59-3
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io)
    100mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz

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Zahlung
Das Folgende sind "1SS190TE85LF" -Einziper.
1SS193,LF

1SS193,LF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS193S,LF(D

1SS193S,LF(D

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS184-TP

1SS184-TP

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1SS181-TP

1SS181-TP

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1SS181,LF

1SS181,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS133M R0G

1SS133M R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 90V 150MA DO34

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1SS133T-72

1SS133T-72

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS244T-72

1SS244T-72

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS196(TE85L,F)

1SS196(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS184S,LF(D

1SS184S,LF(D

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS226-TP

1SS226-TP

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1SS133T-77

1SS133T-77

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 130MA MSD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1SS09-22.5

1SS09-22.5

Beschreibung: CAP TACTILE ROUND BLACK

Hersteller: APEM Inc.
vorrätig
RFQ
1SS187,LF

1SS187,LF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS184,LF

1SS184,LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS193-TP

1SS193-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1SS272TE85LF

1SS272TE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC61B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS226,LF

1SS226,LF

Beschreibung: PB-F S-MINI M8 DIODE (LF), IFM=3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS250(TE85L,F)

1SS250(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
1SS244T-77

1SS244T-77

Beschreibung: DIODE GEN PURP 220V 200MA MSD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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