Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-zenerdioden-Einzel > CRZ11(TE85L,Q)

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

6110182

CRZ11(TE85L,Q)

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

CRZ11(TE85L,Q)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 11V 700MW SFLAT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

CRZ11(TE85L,Q).pdf
Spannung - Zener (Nom) (Vz)

11V
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 200mA
Toleranz

±10%
Supplier Device-Gehäuse

S-FLAT (1.6x3.5)
Serie

-
Leistung - max

700mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOD-123F
Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Impedanz (Max) (Zzt)

30 Ohms
detaillierte Beschreibung

Zener Diode 11V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 7V
Basisteilenummer

CRZ11

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "CRZ11(TE85L,Q)" -Einziper.

CRZ18(TE85L,Q,M)

CRZ18(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ33(TE85L,Q,M)

CRZ33(TE85L,Q,M)

Beschreibung: DIODE ZENER 33V 700MW SFLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ22(TE85L,Q,M)

CRZ22(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ15(TE85L,Q,M)

CRZ15(TE85L,Q,M)

Beschreibung: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ20(TE85L,Q,M)

CRZ20(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ27(TE85L,Q,M)

CRZ27(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ39(TE85L,Q,M)

CRZ39(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ10(TE85L,Q,M)

CRZ10(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ30(TE85L,Q)

CRZ30(TE85L,Q)

Beschreibung: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ10(TE85L,Q)

CRZ10(TE85L,Q)

Beschreibung: DIODE ZENER 10V 700MW SFLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ24(TE85L,Q,M)

CRZ24(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ11(TE85L,Q,M)

CRZ11(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ12(TE85L,Q)

CRZ12(TE85L,Q)

Beschreibung: DIODE ZENER 12V 700MW SFLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ16(TE85L,Q,M)

CRZ16(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ30(TE85L,Q,M)

CRZ30(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ13(TE85L,Q,M)

CRZ13(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ18(TE85L,Q)

CRZ18(TE85L,Q)

Beschreibung: DIODE ZENER 18V 700MW SFLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ22(TE85L,Q)

CRZ22(TE85L,Q)

Beschreibung: DIODE ZENER 22V 700MW SFLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ12(TE85L,Q,M)

CRZ12(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

CRZ36(TE85L,Q,M)

CRZ36(TE85L,Q,M)

Beschreibung: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.