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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > DF10G7M1N,LF

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1442661

DF10G7M1N,LF-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

DF10G7M1N,LF

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500+

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$0.184

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Spezifikation

Artikelnummer

DF10G7M1N,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TVS DIODE 5V 12V 10DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DF10G7M1N,LF.pdf
Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)

5V (Max)
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp

12V (Typ)
Spannung - Aufteilung (min.)

6V
Unidirektionale Kanäle

4
Art

Steering (Rail to Rail)
Supplier Device-Gehäuse

10-DFN (2.5x1)
Serie

-
Stromleitungsschutz

Yes
Power - Peak Pulse

-
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

10-UFDFN
Andere Namen

DF10G7M1NLFDKR
Betriebstemperatur

-
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)

1A (8/20µs)
Kapazität @ Frequenz

0.3pF @ 1MHz
Basisteilenummer

DF10G7M1N
Anwendungen

HDMI

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Das Folgende sind "DF10G7M1N,LF" -Einziper.

DF10M

Beschreibung: DIODE BRIDGE 1000V 1.5A 4DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1

Beschreibung: IGBT MODULE 1700V 1000A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

DF10-31S-2DSA(59)

DF10-31S-2DSA(59)

Beschreibung: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Hersteller: Hirose

vorrätig

DF10S-G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DFS

Hersteller: Comchip Technology

vorrätig

DF10S

Beschreibung: IC RECT BRIDGE 1000V 1.5A 4-SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DF10MA-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Beschreibung: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

DF10M

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF-M

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DF10-31S-2DSA(68)

DF10-31S-2DSA(68)

Beschreibung: CONN 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Hersteller: Hirose

vorrätig

DF10S

Beschreibung: RECT BRIDGE SMD 1000V 1A 4P DF-S

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DF1000R17IE4DB2BOSA1

DF1000R17IE4DB2BOSA1

Beschreibung: IGBT MODULE 1700V 1000A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

DF10-G

Beschreibung: RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF

Hersteller: Comchip Technology

vorrätig

DF10S-E3/77

Beschreibung: DIODE GPP 1A 1000V 4SMD

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

DF10M-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1A 1000V 4DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

DF10G5M4N,LF

Beschreibung: TVS DIODE 3.6V 24V 10DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Beschreibung: LOW POWER EASY

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

DF10M/45

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 1.0A 1000V 4DIP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

DF10-31S-2DSA(62)

DF10-31S-2DSA(62)

Beschreibung: CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT

Hersteller: Hirose

vorrätig

DF10S-E3/45

Beschreibung: DIODE GPP 1A 1000V 4SMD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

DF10G6M4N,LF

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 25V 10DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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