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DF2B7AE,L3F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DF2B7AE,L3F
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 5.5V 20V ESC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DF2B7AE,L3F.pdf
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    5.5V (Max)
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    20V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    5.8V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    ESC
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    80W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-79, SOD-523
  • Andere Namen
    DF2B7AEL3F
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    4A (8/20µs)
  • Kapazität @ Frequenz
    8.5pF @ 1MHz
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    General Purpose

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DF2B6.8M2SC(TPL3)

DF2B6.8M2SC(TPL3)

Beschreibung: TVS DIODE 5V 13V SC2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6.8FS(TPL3,T)

DF2B6.8FS(TPL3,T)

Beschreibung: TVS DIODE 5V 8.5V FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B7M2SL,L3F

DF2B7M2SL,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5V 20V SL2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B7ACT,L3F

DF2B7ACT,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 20V CST2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6M4SL,L3F

DF2B6M4SL,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 25V SL2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B7M3SL,L3F

DF2B7M3SL,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 20V SL2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6.8FS(TPL4,D)

DF2B6.8FS(TPL4,D)

Beschreibung: TVS DIODE 5V 8.5V FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B7SL,L3F

DF2B7SL,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5.3V 16V SL2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6.8M1ACT,L3F

DF2B6.8M1ACT,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5V 20V CST2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2E-DC5V

DF2E-DC5V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 125V

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DF2B7ASL,L3F

DF2B7ASL,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 20V SL2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2E-DC12V

DF2E-DC12V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 125V

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DF2E-DC24V

DF2E-DC24V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 125V

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DF2B7AFS,L3M

DF2B7AFS,L3M

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 20V SOD923

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6.8E,L3F

DF2B6.8E,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6USL,L3F

DF2B6USL,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 20V SL2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B7AE,H3F

DF2B7AE,H3F

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 20V ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2E-L2-DC12V

DF2E-L2-DC12V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 125V

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DF2B6M4CT,L3F

DF2B6M4CT,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 15V CST2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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DF2B7M3SC,L3F

DF2B7M3SC,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5V 13V SC2

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