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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays > HN2C01FEYTE85LF

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6310950

HN2C01FEYTE85LF-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

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Spezifikation

Artikelnummer

HN2C01FEYTE85LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

HN2C01FEYTE85LF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA
Transistor-Typ

2 NPN (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

ES6
Serie

-
Leistung - max

100mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

HN2C01FEYTE85LFDKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

60MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 2mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

150mA

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Das Folgende sind "HN2C01FEYTE85LF" -Einziper.

HN2S01FUTE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN2D01FTE85LF

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA SC74

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN2C01FU-GR(T5L,F)

HN2C01FU-GR(T5L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN2C01FE-GR(T5L,F)

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN2A01FE-Y(TE85L,F

HN2A01FE-Y(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN2A01FU-GR(TE85LF

HN2A01FU-GR(TE85LF

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN2D01JE(TE85L,F)

HN2D01JE(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN2450520000G

HN2450520000G

Beschreibung: TERM BLOCK PLUG 24POS STR 5.08MM

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)

vorrätig

HN2D01FU(TE85L,F)

HN2D01FU(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN2A01FU-Y(TE85L,F

HN2A01FU-Y(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN28-3-AG

Beschreibung: AC/DC CONVERTER 28V 84W

Hersteller: Bel

vorrätig

HN2A01FE-GR(TE85LF

HN2A01FE-GR(TE85LF

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN28-3-A+

Beschreibung: AC/DC CONVERTER 28V 84W

Hersteller: Ault / SL Power

vorrätig

HN2D02FUTW1T1

HN2D02FUTW1T1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HN2C01FU-Y(TE85L,F

HN2C01FU-Y(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN28-3-A+G

Beschreibung: AC/DC CONVERTER 28V 84W

Hersteller: Ault / SL Power

vorrätig

HN2D02FUTW1T1G

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC88

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

HN2S02JE(TE85L,F)

HN2S02JE(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN2D03F(TE85L,F)

HN2D03F(TE85L,F)

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

HN24505000J0G

HN24505000J0G

Beschreibung: TERM BLOCK PLUG 24POS STR 5.08MM

Hersteller: Amphenol FCI

vorrätig

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