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3655357HN4K03JUTE85LF-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

HN4K03JUTE85LF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HN4K03JUTE85LF
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    HN4K03JUTE85LF.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    USV
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12 Ohm @ 10mA, 2.5V
  • Verlustleistung (max)
    200mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • Andere Namen
    HN4K03JU(TE85L,F)
    HN4K03JUTE85LFTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    8.5pF @ 3V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount USV
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100mA (Ta)

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