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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biased > RN1607(TE85L,F)

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RN1607(TE85L,F)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1607(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1607(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1607(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SM6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-74, SOT-457
Andere Namen

RN1607(TE85LF)DKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN1607(TE85L,F)" -Einziper.

RN1602(TE85L,F)

RN1602(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1601(TE85L,F)

RN1601(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1604(TE85L,F)

RN1604(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN152-8-02

Beschreibung: CMC 2.7MH 8A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1611(TE85L,F)

RN1611(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1605TE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN152-6-02

Beschreibung: CMC 3.9MH 6A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1703JE(TE85L,F)

RN1703JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN152-8-02-2M7

Beschreibung: CMC 2.7MH 8A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN152GT2R

Beschreibung: DIODE PIN SWITCH 30V VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RN1606(TE85L,F)

RN1606(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1673(TE85L,F)

RN1673(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1608(TE85L,F)

RN1608(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1610(TE85L,F)

RN1610(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1705JE(TE85L,F)

RN1705JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1704JE(TE85L,F)

RN1704JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1702JE(TE85L,F)

RN1702JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1609(TE85L,F)

RN1609(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1701JE(TE85L,F)

RN1701JE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN152-6-02-3M9

Beschreibung: CMC 3.9MH 6A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

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