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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN2318(TE85L,F)

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2102453

RN2318(TE85L,F)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2318(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN2318(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN2318(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

USM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

47 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

RN2318(TE85LF)
RN2318(TE85LF)-ND
RN2318(TE85LF)TR
RN2318TE85LF
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

50 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

RN231*

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Das Folgende sind "RN2318(TE85L,F)" -Einziper.

RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2316(TE85L,F)

RN2316(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN232-4-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 3.3MH 4A

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2317(TE85L,F)

RN2317(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN232-1-02-18M

Beschreibung: CMC 18MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2314(TE85L,F)

RN2314(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN232-0.6-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 47MH 600MA

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN232-0.6-02-47M

RN232-0.6-02-47M

Beschreibung: CMC 47MH 600MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2315TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN232-1-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 18MH 1A

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN232-2.5-02-5M6

RN232-2.5-02-5M6

Beschreibung: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN232-4-02-3M3

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2310,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN232-1.6-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 10MH 1.6A

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN232-1.6-02-10M

RN232-1.6-02-10M

Beschreibung: CMC 10MH 1.6A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN232-2.5-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 5.6MH 2.5A

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2312(TE85L,F)

RN2312(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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