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5317955RN2906,LF-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

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75000+
$0.033
150000+
$0.029
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN2906,LF
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN2906,LF.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    US6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    RN2906,LF(CB
    RN2906,LF(CT
    RN2906LF(CTTR
    RN2906LF(CTTR-ND
    RN2906LFTR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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RN2905T5LFT

RN2905T5LFT

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2904FE(T5L,F,T)

RN2904FE(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2909(T5L,F,T)

RN2909(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2906(T5L,F,T)

RN2906(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2903A-I/RM103

RN2903A-I/RM103

Beschreibung: TXRX RF MOD LORA 47PIN RM

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
RN2905FE,LF(CB

RN2905FE,LF(CB

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2907FE,LF(CB

RN2907FE,LF(CB

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2910(T5L,F,T)

RN2910(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2906FE(TE85L,F)

RN2906FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2907(T5L,F,T)

RN2907(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2903FE(TE85L,F)

RN2903FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2908(T5L,F,T)

RN2908(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
RN2904,LF

RN2904,LF

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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vorrätig
RFQ
RN2910FE,LF(CB

RN2910FE,LF(CB

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2908FE(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2904,LF(CT

RN2904,LF(CT

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2904(T5L,F,T)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2911(T5L,F,T)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RFQ
RN2904FE,LF

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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