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4934040RN2964FE(TE85L,F)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2964FE(TE85L,F)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN2964FE(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    ES6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    RN2964FE(TE85LF)TR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
RN2971(TE85L,F)

RN2971(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2963FE(TE85L,F)

RN2963FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2965(TE85L,F)

RN2965(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2962(TE85L,F)

RN2962(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2969(TE85L,F)

RN2969(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2911(T5L,F,T)

RN2911(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2966FE(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2965FE(TE85L,F)

RN2965FE(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2961(TE85L,F)

RN2961(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2968FE(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2963(TE85L,F)

RN2963(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2967(TE85L,F)

RN2967(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2967FE(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2969FE(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2961FE(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2970FE(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN2911,LF

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2964(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

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RN2962FE(TE85L,F)

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