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T2N7002AK,LM

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    T2N7002AK,LM
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 60V 0.2A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    T2N7002AK,LM.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    U-MOSVII-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 Ohm @ 100mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    320mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    T2N7002AKLM(BCT
    T2N7002AKLM(BCT-ND
    T2N7002AKLMCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    17pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.35nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    200mA (Ta)

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Das Folgende sind "T2N7002AK,LM" -Einziper.
IRFR120ZTRLPBF

IRFR120ZTRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FQD1P50TM

FQD1P50TM

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 1.2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
T2N7002BK,LM

T2N7002BK,LM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 43A SP4

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTD4804NA-1G

NTD4804NA-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
TSM3457CX6 RFG

TSM3457CX6 RFG

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 5A SOT26

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
IRFP4868PBF

IRFP4868PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 70A TO-247AC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FQP1P50

FQP1P50

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRF6622TR1PBF

IRF6622TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
APL502J

APL502J

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
IPA040N06NXKSA1

IPA040N06NXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NP50P06KDG-E1-AY

NP50P06KDG-E1-AY

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 50A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
SIHF18N50C-E3

SIHF18N50C-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRLZ44PBF

IRLZ44PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRLR2705TR

IRLR2705TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 28A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BTS113AE3064NKSA1

BTS113AE3064NKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RSD050N10TL

RSD050N10TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5A CPT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BUK664R6-40C,118

BUK664R6-40C,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

Hersteller: Nexperia
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