2006397

TJ40S04M3L(T6L1,NQ

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Spezifikation

Artikelnummer

TJ40S04M3L(T6L1,NQ
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 40V 40A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TJ40S04M3L(T6L1,NQ.pdf
2.TJ40S04M3L(T6L1,NQ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

+10V, -20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK+
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

68W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TJ40S04M3L(T6L1NQ
TJ40S04M3LT6L1NQ
Betriebstemperatur

175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4140pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 40V 40A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Ta)

Das Folgende sind "TJ40S04M3L(T6L1,NQ" -Einziper.

IPD50R380CEATMA1

Beschreibung: MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

NVMFS5C404NWFAFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 53A 378A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

TSM150NB04CR RLG

Beschreibung: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RFQ

IXFT20N80P

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 20A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

2SK2095N

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFQ

IPD60R280P7SAUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

AOWF20S60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO262F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RFQ

SUP75P03-07-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

FQD3P50TF

Beschreibung: MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SIR840DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

TK14N65W,S1F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

AUIRFZ24NSTRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IPB04N03LB

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

FDS5690

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SI7145DP-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

NTMFS4985NFT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

RJK1051DPB-00#J5

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

RFQ

STP160N3LL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A TO-220AB

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

STB42N65M5

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

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TPS1100D

Beschreibung: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

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2SK2095N

IPD60R280P7SAUMA1

AOWF20S60

SUP75P03-07-E3

FQD3P50TF

SIR840DP-T1-GE3

TK14N65W,S1F

AUIRFZ24NSTRL

IPB04N03LB

FDS5690

SI7145DP-T1-GE3

NTMFS4985NFT3G

RJK1051DPB-00#J5

STP160N3LL

STB42N65M5

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