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TK16G60W,RVQ-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK16G60W,RVQ

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Spezifikation

Artikelnummer

TK16G60W,RVQ
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK16G60W,RVQ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.7V @ 790µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D2PAK
Serie

DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 7.9A, 10V
Verlustleistung (max)

130W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

TK16G60W,RVQ(S
TK16G60WRVQTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

15.8A (Ta)

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TK1805800000G

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Beschreibung: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)

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