TK40A06N1,S4X

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

$1.43

50+

$1.146

100+

$1.003

500+

$0.778

1000+

$0.614

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

TK40A06N1,S4X
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK40A06N1,S4X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 300µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220SIS
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.4 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

30W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

TK40A06N1,S4X(S
TK40A06N1,S4X-ND
TK40A06N1S4X
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 40A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

40A (Tc)

Das Folgende sind "TK40A06N1,S4X" -Einziper.

TK4A60D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK4A55D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK40E10K3,S1X(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK4A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK430

Beschreibung: ELECTRICAL TEST KIT

Hersteller: FLIR

vorrätig

RFQ

TK430-IR

Beschreibung: ELECTRICAL TEST KIT WITH IR THER

Hersteller: FLIR

vorrätig

RFQ

TK40E10N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 100V 90A TO220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK46E08N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 80A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK40P04M1(T6RSS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK40A10N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK46A08N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 46A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK4A55DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK40S10K3Z(T6L1,NQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK42A12N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 42A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK42E12N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 120V 88A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK4A53D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK40P03M1(T6RDS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK40E06N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 40A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK45P03M1,RQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TK40P03M1(T6RSS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Vorabregistrierung

TK40A06N1,S4X

Online-Anfrage

Referenzpreis (in US-Dollar)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

TK4A60D(STA4,Q,M)

TK4A55D(STA4,Q,M)

TK40E10K3,S1X(S

TK4A50D(STA4,Q,M)

TK430

TK430-IR

TK40E10N1,S1X

TK46E08N1,S1X

TK40P04M1(T6RSS-Q)

TK40A10N1,S4X

TK46A08N1,S4X

TK4A55DA(STA4,Q,M)

TK40S10K3Z(T6L1,NQ

TK42A12N1,S4X

TK42E12N1,S1X

TK4A53D(STA4,Q,M)

TK40P03M1(T6RDS-Q)

TK40E06N1,S1X

TK45P03M1,RQ(S

TK40P03M1(T6RSS-Q)

Sprache auswählen

Aktuelle Sprache