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1725938TK8A60W,S4VX-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

TK8A60W,S4VX

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TK8A60W,S4VX
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 400µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220SIS
  • Serie
    DTMOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 mOhm @ 4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    30W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    TK8A60W,S4VX(M
    TK8A60WS4VX
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    570pF @ 300V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18.5nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Super Junction
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    8A (Ta)
TK8A60W5,S5VX

TK8A60W5,S5VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8Q65W,S1Q

TK8Q65W,S1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8A50D(STA4,Q,M)

TK8A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8A45D(STA4,Q,M)

TK8A45D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8A50DA(STA4,Q,M)

TK8A50DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8A10K3,S5Q

TK8A10K3,S5Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8A45DA(STA4,Q,M)

TK8A45DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8S06K3L(T6L1,NQ)

TK8S06K3L(T6L1,NQ)

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8Q60W,S1VQ

TK8Q60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 8A IPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK80S04K3L(T6L1,NQ

TK80S04K3L(T6L1,NQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8P60W5,RVQ

TK8P60W5,RVQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8A65W,S5X

TK8A65W,S5X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
BS250PSTZ

BS250PSTZ

Beschreibung: MOSFET P-CH 45V 0.23A TO92-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
TK80S06K3L(T6L1,NQ

TK80S06K3L(T6L1,NQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8A55DA(STA4,Q,M)

TK8A55DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8R2A06PL,S4X

TK8R2A06PL,S4X

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8A60DA(STA4,Q,M)

TK8A60DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TK8A65D(STA4,Q,M)

TK8A65D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
BSS123

BSS123

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
TK8P60W,RVQ

TK8P60W,RVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 8A DPAK

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