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41465368AF4NPP-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    8AF4NPP
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 50A B47
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    8AF4NPP.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    50A
  • Spannung - Durchschlag
    B-47
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Bulk
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    B-47
  • Andere Namen
    *8AF4NPP
    VS-8AF4NPP
    VS-8AF4NPP-ND
    VS8AF4NPP
    VS8AF4NPP-ND
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    8AF4NPP
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 400V 50A Chassis, Stud Mount B-47
  • Diodenkonfiguration
    5mA @ 400V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 50A B47
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    -
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    400V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 195°C

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Das Folgende sind "8AF4NPP" -Einziper.
6A8-T

6A8-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BYW77PI-200RG

BYW77PI-200RG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 25A DOP3I

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
TSS83L45 MXG

TSS83L45 MXG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5617GPHE3/54

1N5617GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SRA8150 C0G

SRA8150 C0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 8A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CMG05(TE12L,Q,M)

CMG05(TE12L,Q,M)

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A M-FLAT

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
8AF05RPP

8AF05RPP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 50A B47

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
MBR0530-TP

MBR0530-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S1GLHRVG

S1GLHRVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ACDBAT340-HF

ACDBAT340-HF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A 2010

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
1N3912AR

1N3912AR

Beschreibung: FAST RECOVERY RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SSB43LHE3/52T

SSB43LHE3/52T

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 4A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS16T,115

BAS16T,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 155MA SC75

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
SE07PB-E3/84A

SE07PB-E3/84A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 700MA DO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
8AF05NPP

8AF05NPP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 50A B47

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SURS8360BT3G

SURS8360BT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
8AF1RPP

8AF1RPP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 50A B47

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
CMR1-10 TR13

CMR1-10 TR13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
RK 39V

RK 39V

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 90V 2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
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