Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > AS3BJHM3/52T
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5771393AS3BJHM3/52T-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3BJHM3/52T

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    AS3BJHM3/52T
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    AS3BJHM3/52T.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Avalanche
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-214AA (SMB)
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-214AA, SMB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    1.5µs
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    AS3BJHM3/52T
  • Expanded Beschreibung
    Diode Avalanche 600V 3A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Diodenkonfiguration
    20µA @ 600V
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.05V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    600V
  • Kapazität @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "AS3BJHM3/52T" -Einziper.
AS3BD-M3/I

AS3BD-M3/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3BDHM3_A/H

AS3BDHM3_A/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3BJHM3_A/H

AS3BJHM3_A/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3PD-M3/86A

AS3PD-M3/86A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3PDHM3/86A

AS3PDHM3/86A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
AS3BGHM3_A/I

AS3BGHM3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3PDHM3_A/H

AS3PDHM3_A/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3BDHM3_A/I

AS3BDHM3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3BD-M3/H

AS3BD-M3/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3PDHM3/87A

AS3PDHM3/87A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
AS3BJHM3/5BT

AS3BJHM3/5BT

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
AS3BJ-M3/52T

AS3BJ-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3BJ-M3/5BT

AS3BJ-M3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3PG-M3/86A

AS3PG-M3/86A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3BJHM3_A/I

AS3BJHM3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3BGHM3_A/H

AS3BGHM3_A/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3PD-M3/87A

AS3PD-M3/87A

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3BG-M3/H

AS3BG-M3/H

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3PDHM3_A/I

AS3PDHM3_A/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AS3BG-M3/I

AS3BG-M3/I

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 400V 3A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.