BZD27B4V7P-HE3-18

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Spezifikation

Artikelnummer

BZD27B4V7P-HE3-18
Hersteller / Marke

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BZD27B4V7P-HE3-18.pdf
Spannung - Isolation

7 Ohm
Serie

Automotive, AEC-Q101, BZD27B
Leistung - max

800mW
Polarisation

DO-219AB
Betriebstemperatur

-65°C ~ 175°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Hersteller-Teilenummer

BZD27B4V7P-HE3-18
Impedanz (Max) (Zzt)

4.7V
Expanded Beschreibung

Zener Diode 800mW Surface Mount
ESR (Equivalent Series Resistance)

-
Diodenkonfiguration

10µA @ 1V
Beschreibung

DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1.2V @ 200mA

Das Folgende sind "BZD27B4V7P-HE3-18" -Einziper.

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Beschreibung: DIODE ZENER 4.3V 0.8W DO-219AB

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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

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