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6169886S1AFK-M3/6A-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

S1AFK-M3/6A

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1AFK-M3/6A
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S1AFK-M3/6A.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-221AC (SlimSMA)
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    7.9pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-221AC, SMA Flat Leads
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    1.47µs
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    S1AFK-M3/6A
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-221AC (SlimSMA)
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 800V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    800V
  • Kapazität @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

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Das Folgende sind "S1AFK-M3/6A" -Einziper.
S1AHE3_A/I

S1AHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1AFG-M3/6B

S1AFG-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S1AHM2G

S1AHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1AFL

S1AFL

Beschreibung: DIODE GP 50V 1A SOD123F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1AHE3/61T

S1AHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1AFK-M3/6B

S1AFK-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S1AFM-M3/6A

S1AFM-M3/6A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1AFJ-M3/6B

S1AFJ-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S1A/UC

S1A/UC

Beschreibung: SWITCH TOGGLE SPST 15A 125V

Hersteller: NKK Switches
vorrätig
RFQ
S1AFJ-M3/6A

S1AFJ-M3/6A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S1ABTR

S1ABTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S1AFM-M3/6B

S1AFM-M3/6B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S1AHE3_A/H

S1AHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1AFG-M3/6A

S1AFG-M3/6A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S1AHR3G

S1AHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1AHE3/5AT

S1AHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1AB R5G

S1AB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1AB-13-F

S1AB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1AB-13

S1AB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1AB M4G

S1AB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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