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3131702UH3D-M3/9AT-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

UH3D-M3/9AT

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  • Artikelnummer
    UH3D-M3/9AT
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    UH3D-M3/9AT.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    2.5A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-214AB, (SMC)
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    42pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    40ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    UH3D-M3/9AT
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 200V 2.5A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 200V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.05V @ 3A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

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UH3C-M3/9AT

UH3C-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
UH3B-M3/57T

UH3B-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
UH3CHE3_A/I

UH3CHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UH3BHE3_A/H

UH3BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UH3DHE3_A/I

UH3DHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UH3D-E3/9AT

UH3D-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UH3B-M3/9AT

UH3B-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
UH3B-E3/9AT

UH3B-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UH3DHE3_A/H

UH3DHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5398-T

1N5398-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
UH3D-M3/57T

UH3D-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
UH3CHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
EK 06W

EK 06W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 700MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
UH3D-E3/57T

UH3D-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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UH3C-E3/9AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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UH3C-M3/57T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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UH3BHE3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

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