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Zuhause > Produkte > Isolatoren > Optoisolatoren-Transistor, Photovoltaik-Ausgang > 4N35
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34019074N35-Bild.Vishay / Semiconductor - Opto Division

4N35

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2500+
$0.179
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$0.167
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    4N35
  • Hersteller / Marke
    Vishay Semiconductor - Opto Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    4N35.pdf
  • Spannung - Ausgabe (max)
    70V
  • Spannung - Isolation
    5000Vrms
  • Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)
    1.3V
  • VCE Sätttigung (max)
    -
  • Ein- / Ausschaltzeit (Typ)
    10µs, 10µs
  • Supplier Device-Gehäuse
    6-DIP
  • Serie
    -
  • Aufstieg / Fallzeit (Typ)
    -
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Ausgabetyp
    Transistor with Base
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 100°C
  • Anzahl der Kanäle
    1
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    DC
  • detaillierte Beschreibung
    Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min)
    100% @ 10mA
  • Stromübertragungsverhältnis (max)
    -
  • Strom - Ausgang / Kanal
    50mA
  • Strom - DC Vorwärts (If) (Max)
    50mA
  • Basisteilenummer
    4N35

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4N33TVM

4N33TVM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N33VM

4N33VM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N35

4N35

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N35-300E

4N35-300E

Beschreibung: OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
RFQ
4N33SR2M

4N33SR2M

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N33SM

4N33SM

Beschreibung: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N35

4N35

Beschreibung: OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Lite-On, Inc.
vorrätig
RFQ
4N33S1(TB)

4N33S1(TB)

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
4N33SD

4N33SD

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N35-000E

4N35-000E

Beschreibung: OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
RFQ
4N35-360E

4N35-360E

Beschreibung: OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
RFQ
4N35-560E

4N35-560E

Beschreibung: OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
RFQ
4N35-060E

4N35-060E

Beschreibung: OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
RFQ
4N33S1(TB)-V

4N33S1(TB)-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
4N35

4N35

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
4N33S1(TA)

4N33S1(TA)

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
vorrätig
RFQ
4N33W

4N33W

Beschreibung: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
4N35(SHORT,F)

4N35(SHORT,F)

Beschreibung: OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
4N35-500E

4N35-500E

Beschreibung: OPTOISO 3.55KV TRANS W/BASE 6SMD

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
RFQ
4N33S1(TA)-V

4N33S1(TA)-V

Beschreibung: OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD

Hersteller: Everlight Electronics
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