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BYC8-1200PQ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BYC8-1200PQ
  • Hersteller / Marke
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    BYC8-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BYC8-1200PQ.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3.2V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AC
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    55ns
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Andere Namen
    934072036127
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    175°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 8A Through Hole TO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "BYC8-1200PQ" -Einziper.
BYC8-600,127

BYC8-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC58X-600,127

BYC58X-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC8X-600,127

BYC8X-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC8B-600PQP

BYC8B-600PQP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BYC8DX-600,127

BYC8DX-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors
vorrätig
RFQ
BYC5X-600,127

BYC5X-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC30X-600P,127

BYC30X-600P,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC5-600PQ

BYC5-600PQ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors
vorrätig
RFQ
BYC8D-600,127

BYC8D-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors
vorrätig
RFQ
BYC30WT-600PQ

BYC30WT-600PQ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-3

Hersteller: WeEn Semiconductors
vorrätig
RFQ
BYC8B-600,118

BYC8B-600,118

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC5DX-500,127

BYC5DX-500,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors
vorrätig
RFQ
BYC5B-600,118

BYC5B-600,118

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A D2PAK

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC8-600P,127

BYC8-600P,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC5-600,127

BYC5-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC8X-600P,127

BYC8X-600P,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC8B-600PJ

BYC8B-600PJ

Beschreibung: DIODE HYPER FAST 600V 8A D2PAK

Hersteller: WeEn Semiconductors
vorrätig
RFQ
BYC75W-1200PQ

BYC75W-1200PQ

Beschreibung: STANDARD MARKING * HORIZONTAL, R

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYC5D-500,127

BYC5D-500,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors
vorrätig
RFQ
BYC5X-600PQ

BYC5X-600PQ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors
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