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5691662BYR29-800,127-Bild.WeEn Semiconductors Co., Ltd

BYR29-800,127

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BYR29-800,127
  • Hersteller / Marke
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BYR29-800,127.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220AC
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-2
  • Andere Namen
    933722330127
    BYR29-800
    BYR29-800-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 8A Through Hole TO-220AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    BYR29-800

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Das Folgende sind "BYR29-800,127" -Einziper.
EM 1AV0

EM 1AV0

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
BYR5D-1200PJ

BYR5D-1200PJ

Beschreibung: BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
NS8BTHE3/45

NS8BTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SR006HR0G

SR006HR0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 500MA DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS26LHRFG

SS26LHRFG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DFLR1200-7

DFLR1200-7

Beschreibung: DIODE GP 200V 1A POWERDI123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRKE166/14

IRKE166/14

Beschreibung: DIODE MODULE 1.4KV 165A INTAPAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S5AHE3_A/I

S5AHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 5A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BYR29X-800,127

BYR29X-800,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
MBRF1050 C0G

MBRF1050 C0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 10A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
GL34B-TP

GL34B-TP

Beschreibung: DIODE GP 100V 500MA MINI MELF

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
MURS340T3G

MURS340T3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SSL23 M4G

SSL23 M4G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
D711N60TXPSA1

D711N60TXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 6KV 1070A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BYR29X-600,127

BYR29X-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
BYR29-600,127

BYR29-600,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: WeEn Semiconductors Co., Ltd
vorrätig
RFQ
ER3D-TP

ER3D-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
30WQ06FN

30WQ06FN

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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S1JLHRTG

S1JLHRTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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SD101BW-7-F

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 15MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
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