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1218380W29N04GVBIAA-Bild.Winbond Electronics Corporation

W29N04GVBIAA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W29N04GVBIAA
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Supplier Device-Gehäuse
    63-VFBGA (9x11)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    63-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-VFBGA (9x11)
  • Zugriffszeit
    25ns
W29N04GVBIAF

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Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W29N02GVSIAF

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W29N02GVSIAA

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W29N04GVSIAA

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W29N01HVBINA

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W29N01HVSINA

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W29N01HVSINF

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Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP

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W29N01HVBINF

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W29N02GVBIAA

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W29N01GZDIBA

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W29N04GZBIBA

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W29N01HVDINF

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