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4101196W971GG8KB-25 TR-Bild.Winbond Electronics Corporation

W971GG8KB-25 TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W971GG8KB-25 TR
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W971GG8KB-25 TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    60-WBGA (8x12.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    60-TFBGA
  • Andere Namen
    W971GG8KB-25 TR-ND
    W971GG8KB-25TR
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (128M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 200MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    400ps

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W971GG8KB-25

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W971GG6SB-25

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W971GG8KB25I TR

W971GG8KB25I TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W971GG8JB-25

W971GG8JB-25

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W971GG8SB-25 TR

W971GG8SB-25 TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W971GG8SB25I TR

W971GG8SB25I TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W971GG6SB-18 TR

W971GG6SB-18 TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W971GG6SB25I TR

W971GG6SB25I TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W971GG8SB25I

W971GG8SB25I

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W971GG8SB-25

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W971GG6KB25I TR

W971GG6KB25I TR

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W971GG8KB25I

W971GG8KB25I

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W9725G6IB-25

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W9725G6KB-18

W9725G6KB-18

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W971GG6SB25I

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W971GG6SB-25 TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

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W971GG8JB25I

W971GG8JB25I

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9725G6KB-18 TR

W9725G6KB-18 TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9725G6JB25I

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 84WBGA

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W971GG6SB-18

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