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4536786W978H2KBVX2I-Bild.Winbond Electronics Corporation

W978H2KBVX2I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W978H2KBVX2I
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    134-VFBGA (10x11.5)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    134-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (8M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
  • Uhrfrequenz
    400MHz
W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W978H2KBQX2I

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W9751G6KB-25 TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W979H2KBQX2I

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W9751G8KB25I TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9751G8KB-25

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9751G6KB25I TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBQX2E

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

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W9751G8KB-25 TR

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Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W979H2KBVX2I

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

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W978H2KBQX2E

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W978H6KBVX2I

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W978H6KBQX2E

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

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W979H2KBQX2E

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W9751G6KB25I

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W978H6KBVX2E

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W979H2KBVX2E

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