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W97AH2KBQX2E

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W97AH2KBQX2E
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W97AH2KBQX2E.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Supplier Device-Gehäuse
    168-WFBGA (12x12)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    168-WFBGA
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (32M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 400MHz 168-WFBGA (12x12)
  • Uhrfrequenz
    400MHz

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W97AH6KBVX2E

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W979H2KBVX2I

W979H2KBVX2I

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W97AH2KBVX2I

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBVX2I

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W97AH6KBQX2E

W97AH6KBQX2E

Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W97BH2KBQX2E

W97BH2KBQX2E

Beschreibung: IC DRAM 2G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W97AH6KBQX2I

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W979H2KBVX2E

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W979H6KBQX2E

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

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W97AH6KBVX2I

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W97AH6KBVX2E TR

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