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6298434W9812G6IH-6-Bild.Winbond Electronics Corporation

W9812G6IH-6

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W9812G6IH-6
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W9812G6IH-6.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    3 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    SDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    166MHz
  • Zugriffszeit
    5ns

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Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9816G6IH-6I

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JH-6I

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JB-6I TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9816G6IH-6

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6JH-5

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9812G6KH-5 TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9816G6JB-6

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Beschreibung: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9816G6IB-6

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W9812G2KB-6 TR

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W9812G6KH-6I TR

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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