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Einführung

SemiQ - Die 2007 gegründete Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG") ist ein integriertes Entwicklungs- und Produktionsunternehmen, das sich auf Produkte basierend auf Siliziumcarbid (SiC) -Technologien spezialisiert hat. Diese Produkte werden in den kommenden Jahren für die Leistungselektronik und die Energiewirtschaft von grundlegender Bedeutung sein, wo fortschrittliche Technologien für eine kostengünstige, hocheffiziente Energieerzeugung, -umwandlung und -übertragung benötigt werden.

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GSXF100A040S1-D3

GSXF100A040S1-D3

Beschreibung: DIODE FAST REC 400V 100A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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GP2D036A060B

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 82A TO247-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

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Beschreibung: DIODE FAST REC 400V 60A SOT227

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Beschreibung: MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO263-2

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group
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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

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Beschreibung: IGBT BUCK CHOP 1200V 60A SOT227

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Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 170A

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Beschreibung: IGBT MODULE 1200V 335A

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

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Beschreibung: SILICON IGBT MODULES

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

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Beschreibung: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227

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Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT227

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

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Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 240A SOT227

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Beschreibung: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227

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Beschreibung: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

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Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

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Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2

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Beschreibung: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

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