Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > GP1M010A080FH

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

2450966

GP1M010A080FH-Bild.

Global Power Technologies Group

GP1M010A080FH

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

GP1M010A080FH
Hersteller / Marke

SemiQ
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

GP1M010A080FH.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220F
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Verlustleistung (max)

48W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

1560-1176-1
1560-1176-1-ND
1560-1176-5
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2336pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 800V 9.5A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.5A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "GP1M010A080FH" -Einziper.

GP1M009A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M012A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A080N

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M012A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M011A050HS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A060H

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090H

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M013A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M013A050FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M011A050FSH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A070F

Beschreibung: MOSFET N-CH 700V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A060FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A050HS

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090N

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A090FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M011A050FH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M011A050H

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M009A050FSH

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

GP1M010A080H

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

Hersteller: Global Power Technologies Group

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.