Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4150_T50R
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
11146101N4150_T50R-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4150_T50R

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4150_T50R
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4150_T50R.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    6ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    175°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4150

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "1N4150_T50R" -Einziper.
1N4150_T50A

1N4150_T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4151TAP

1N4151TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150W-E3-18

1N4150W-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150W-G3-18

1N4150W-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150_T26A

1N4150_T26A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4151

1N4151

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4150W-G3-08

1N4150W-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4151TR

1N4151TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150_S62Z

1N4150_S62Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150W-HE3-08

1N4150W-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4151TR

1N4151TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4151W-HE3-08

1N4151W-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4151

1N4151

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4151W-E3-08

1N4151W-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4151W-G3-08

1N4151W-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150W-E3-08

1N4150W-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150UR-1

1N4150UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4151W-E3-18

1N4151W-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4151W-G3-18

1N4151W-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.