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26264441N4150UR-1-Bild.Microsemi

1N4150UR-1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4150UR-1
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N4150UR-1.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-213AA
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-213AA (Glass)
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 200mA Surface Mount DO-213AA
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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1N4150W-G3-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150_T50R

1N4150_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150_S62Z

1N4150_S62Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4149TR

1N4149TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150TAP

1N4150TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150W-E3-08

1N4150W-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150-1

1N4150-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4150TR_S00Z

1N4150TR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150W-E3-18

1N4150W-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4149

1N4149

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150

1N4150

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150W-HE3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150TR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
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1N4150W-G3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N4150TR

1N4150TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N4150_T50A

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4149_T50R

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150 TR

1N4150 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor
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