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48420571N4152_T50R-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4152_T50R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4152_T50R
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    880mV @ 20mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    40V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    175°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 40V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50nA @ 30V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4152

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Das Folgende sind "1N4152_T50R" -Einziper.
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N4151WS-HE3-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4151WS-HE3-08

1N4151WS-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4151WS-E3-08

1N4151WS-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4151WS-G3-08

1N4151WS-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4154TR

1N4154TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4153UR-1

1N4153UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4153

1N4153

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4154TAP

1N4154TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4152_T50A

1N4152_T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4152TR

1N4152TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4151_T50R

1N4151_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4152

1N4152

Beschreibung: DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4153-1

1N4153-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4153_T50R

1N4153_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4153TR

1N4153TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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1N4154

1N4154

Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4154

1N4154

Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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1N4151WS-E3-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N4154TR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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