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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4154TR
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2925931N4154TR-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N4154TR

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50000+
$0.017
100000+
$0.016
250000+
$0.014
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4154TR
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 30mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    25V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Andere Namen
    1N4154VSTR
    1N4154VSTR-ND
    1N4154VSTRGITR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 25V 150mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 25V
  • Strom - Richt (Io)
    150mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
1N4154

1N4154

Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4246GP-M3/73

1N4246GP-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4246

1N4246

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N4152_T50R

1N4152_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 40V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4153UR-1

1N4153UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N4154TAP

1N4154TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4245

1N4245

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
1N4153-1

1N4153-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N4246GP-M3/54

1N4246GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N4245GP-M3/54

1N4245GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4153_T50R

1N4153_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4245GP-M3/73

1N4245GP-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4246GP-E3/73

1N4246GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4154TR_S00Z

1N4154TR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4153

1N4153

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4154TR

1N4154TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4154

1N4154

Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N4246GP-E3/54

1N4246GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4153TR

1N4153TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4154_T50R

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 35V 100MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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