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22310111N483B-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N483B

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N483B
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N483B.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    80V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    175°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 80V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25nA @ 60V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    1N483

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Das Folgende sind "1N483B" -Einziper.
1N483B_T50R

1N483B_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N484B

1N484B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N483

1N483

Beschreibung: DIODE RECT STD RECOVERY

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N485

1N485

Beschreibung: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N4782

1N4782

Beschreibung: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N482B

1N482B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N485B BK

1N485B BK

Beschreibung: DIODE GP 200V 200MA DO204AL

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N485BTR

1N485BTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N485B

1N485B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N483BUR

1N483BUR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 50MA DO213AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N4783

1N4783

Beschreibung: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4784

1N4784

Beschreibung: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N483A

1N483A

Beschreibung: DIODE RECT STD RECOVERY

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N4781A

1N4781A

Beschreibung: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N483BTR

1N483BTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4783A

1N4783A

Beschreibung: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4784A

1N4784A

Beschreibung: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4782A

1N4782A

Beschreibung: DIODE ZENER 8.5V 500MW DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N485B TR

1N485B TR

Beschreibung: DIODE GP 200V 200MA DO204AL

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N485A

1N485A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
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