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1N485B TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N485B TR
  • Hersteller / Marke
    Central Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GP 200V 200MA DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N485B TR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AL (DO-41)
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Andere Namen
    1N485B TR-ND
    1N485BCSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 200°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 200mA Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    25nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "1N485B TR" -Einziper.
1N483B_T50R

1N483B_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N485A

1N485A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N486B

1N486B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N485BTR

1N485BTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N486B BK

1N486B BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4864 BK

1N4864 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N483B

1N483B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N486BUR

1N486BUR

Beschreibung: DIODE RECT STD RECOVERY

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N485B_T50R

1N485B_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N485

1N485

Beschreibung: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO7

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N485B BK

1N485B BK

Beschreibung: DIODE GP 200V 200MA DO204AL

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N484B

1N484B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N486B_T50R

1N486B_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N486B TR

1N486B TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO41

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N485BUR

1N485BUR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 180V 100MA DO213

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N483A

1N483A

Beschreibung: DIODE RECT STD RECOVERY

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N483BTR

1N483BTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N486B-T50A

1N486B-T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N483BUR

1N483BUR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 225V 50MA DO213AA

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N485B

1N485B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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