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61101621N5399-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N5399

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5399
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5399.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.4V @ 1.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-15
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 1.5A Through Hole DO-15
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N5399

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Das Folgende sind "1N5399" -Einziper.
1N5399G-T

1N5399G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5399-TP

1N5399-TP

Beschreibung: DIODE GPP 1.5A DO-15

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N5399-E3/54

1N5399-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5398S-T

1N5398S-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5399G R0G

1N5399G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5398GHR0G

1N5398GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5398G-T

1N5398G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5398G B0G

1N5398G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5399GHA0G

1N5399GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5399G B0G

1N5399G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5399-T

1N5399-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N5398GPHE3/54

1N5398GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5399-E3/73

1N5399-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5398G R0G

1N5398G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5398GHB0G

1N5398GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5398GP-E3/54

1N5398GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5399GHB0G

1N5399GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5399G A0G

1N5399G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5398GHA0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N5398G A0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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