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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5399-E3/54

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828368

1N5399-E3/54-Bild.

Electro-Films (EFI) / Vishay

1N5399-E3/54

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Spezifikation

Artikelnummer

1N5399-E3/54
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1N5399-E3/54.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 1.5A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

1000V
Supplier Device-Gehäuse

DO-204AL (DO-41)
Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

2µs
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

DO-204AL, DO-41, Axial
Andere Namen

1N5399-E3/54GICT
Betriebstemperatur - Anschluss

-50°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

25 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 1000V 1.5A Through Hole DO-204AL (DO-41)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

5µA @ 1000V
Strom - Richt (Io)

1.5A
Kapazität @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz
Basisteilenummer

1N5399

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Das Folgende sind "1N5399-E3/54" -Einziper.

1N5398GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N5398GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5399G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N5399GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5399G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5399-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N5398GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5399

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

1N5398G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5398GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5399GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5398S-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N5399GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5398G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N5399G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5398G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5399G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.5A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N5398GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

vorrätig

1N5399-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N5399-TP

Beschreibung: DIODE GPP 1.5A DO-15

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

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