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24455181N916-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N916

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N916
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N916.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 10mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    2 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N916

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Das Folgende sind "1N916" -Einziper.
1N914_T26A

1N914_T26A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N935B

1N935B

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N914_S00Z

1N914_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N935BUR-1

1N935BUR-1

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N914B_T50A

1N914B_T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N916TR

1N916TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N916ATR

1N916ATR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N916A_T50R

1N916A_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N916B_T50R

1N916B_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914_T50R

1N914_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N916B

1N916B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914TR_S00Z

1N914TR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N935A

1N935A

Beschreibung: ZENER DIODE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N914TAP

1N914TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N914B_T50R

1N914B_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N916_T50R

1N916_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N916A

1N916A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914UR

1N914UR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N914TR

1N914TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914TR

1N914TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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