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44307051N914TAP-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N914TAP

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250000+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N914TAP
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N914TAP.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 10mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Andere Namen
    1N914TAP-ND
    1N914TAPGITB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 300mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    300mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz

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1N914B_S62Z

1N914B_S62Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BTR_S00Z

1N914BTR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N916ATR

1N916ATR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BWS

1N914BWS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BW RHG

1N914BW RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N914_T26A

1N914_T26A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914TR

1N914TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N916A

1N916A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B_T50A

1N914B_T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BWT

1N914BWT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914_S00Z

1N914_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N916

1N916

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914TR_S00Z

1N914TR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BWS RRG

1N914BWS RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N914BTR

1N914BTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B_T50R

1N914B_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B_S00Z

1N914B_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914_T50R

1N914_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914UR

1N914UR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
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1N914TR

1N914TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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