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59007871S921TR-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1S921TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1S921TR
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "1S921TR" -Einziper.
SF10DG-B

SF10DG-B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
R5031413LSWA

R5031413LSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 125A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
VS-SD1100C25C

VS-SD1100C25C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5KV 1100A B-43

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
B0530W-7-F

B0530W-7-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
VS-307URA250

VS-307URA250

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.5KV 300A DO9

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RFUS20NS6STL

RFUS20NS6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FR307GP-TP

FR307GP-TP

Beschreibung: DIODE GP 1KV 3A DO201AD

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
JAN1N6076

JAN1N6076

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
SS16LHRFG

SS16LHRFG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1S922TR

1S922TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N3209

1N3209

Beschreibung: STANDARD RECTIFIER

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
VS-T85HFL100S05

VS-T85HFL100S05

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 85A D-55

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1S923TR

1S923TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NHP140SFT3G

NHP140SFT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RGP10A

RGP10A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RSFAL RVG

RSFAL RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 500MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRS120T3G

MBRS120T3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMB

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
6A01-G

6A01-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A R6

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
GP10BEHE3/54

GP10BEHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAL99E6433HTMA1

BAL99E6433HTMA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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